IT之家 8 月 8 日音讯，比利时微电子研究中心 imec 当地时间昨日宣告，在其与 ASML 协作的 High NA EUV 光刻实验室初次成功使用 High NA EUV 光刻机曝光了逻辑和 DRAM 的图画结构。
在逻辑图画方面，imec 成功图画化了单次曝光随机逻辑组织，完结了 9.5nm 密布金属线nm Pitch），将端到端距离尺度下降至 20nm 以下：
不仅如此，imec 完结了中心距离 30nm 的随机通孔，展示了超卓的图画保真度和临界尺度一致性：
此外，imec 经过 High NA EUV 光刻组织建了 P22nm 距离的二维特征，显现了新一代光刻技能在二维布线方面的潜力：
这些成果证明了 High NA EUV 光刻技能长期以来所猜测的分辨率才能，一次曝光就可以完结 20nm 以下距离的金属层。
因而 High NA EUV 将对逻辑和存储器技能的尺度扩展起到及其重要的效果，而这正是将路线图面向 埃米年代 的要害支柱之一。
这些前期演示之所以可以在必定程度上完结，要归功于 ASML-imec 联合实验室的树立，它使咱们的协作伙伴可以加快将 High NA 光刻技能引进制作范畴。